高信頼理工学研究センター Advanced Materials Processing Research laboratory TOP 研究所説明 研究員紹介 活動報告 研究業績(概要) 研究業績(抜粋) 主な特許 遠藤 和弘 教授（研究所専任） 工学博士 研究業績(概要) Nature、Adv. Mater. 、Crystal Growth & Design、Supercond. Sci. Technol.、Materialsなど、インパクトファクターIFの高い論文誌に筆頭論文を掲載。Mater. Res. Bull.などの論文誌のゲスト・エディター、基調・招待講演多数、米国・国内特許の取得、プレスリリースによる成果発信、多くの国際会議のオーガナイザーなど、研究の遂行に実績。 プラズマによるCFRPの直接接合については、2013年より科学技術振興機構のCOIプログラムの中で、新しい接合技術を発明したが、COIプログラムは、令和元年度の第２フェーズで終了、成果は、革新複合材料研究開発センターの主要な成果と位置付けられ、プレス発表を行った（日本経済新聞、日刊工業新聞など、８紙に掲載）。 研究業績(抜粋) K. Endo (1番目), 他4名, “High-quality Superconducting Thin Films of Bi2Sr2Ca2Cu3Ox Grown in situ by Metalorganic CVD”, Nature, 355, 327-328 (1992). 遠藤和弘,「MOCVD法－高性能Bi2Sr2Ca2Cu3Ox 超伝導薄膜を後熱処理なしで作製」 応用物理, 61(5), 514(1992) H. Yamasaki, K. Endo，他4名, Phys. Rev. Lett. 70, 3331(1993) K. Endo, “MOCVD Growth of High-Quality Bi-2223 Superconducting Films” Bismuth-Based High-temperature Superconductors”, ( eds. H. Maeda and K. Togano, Marcel Dekker), 524-544（1996） 遠藤和弘,「高温超電導体とエキゾチック超電導体」, 共立実験物理科学シリーズ3巻（共立出版）,187-194 (1999). K. Endo (1番目), 他3名, “Growth of High-Quality Precipitate-Free Thin Films Suitable for Electronic Devices: A New Concept for Substrates”, Adv. Mater. 16, 1894-1897 (2004). K. Endo, P. Badica, “Growth of Stacked Heterostructures of SIS-type with S=YBCO or BSCCO and I=(Ba, Ca)CuO2 or (Sr, Ca)CuO2”, Supercond. Sci. Technol. 20, S430-S436, (2007). K. Endo, P. Badica, “(001) Bi2Sr2Ca2Cu3O10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film-substrate Lattice Mismatch and Different Film-substrate Lattice Mismatch Anisotropy”, Crystal Growth & Design, 9(1), 391-394 ( 2009). K. Endo (1番目), 他3名, “Thin Films of the Insulating (001) CaCuO2 Infinite-Layer with Low Roughness and Highly Uniform Morphology”, Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 35[1], 151-153 (2010). K. Endo, “Advanced Growth Method of High-quality Oxide Films with Perovskite-related Structure for Future Electronics”, 18th Int. Conf. Composites/Nano-Engineering (ICCE-18), Oxide Nanocomposites & Heterostructures Symp., Alaska, US, 2010.7.9.（招待講演） K. Endo (1番目), 他5名, “Growth Control of High-Tc Superconducting Thin Films for Future Electronics”, Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 35[4], 993-996 (2010). K. Endo (1番目), 他6名, "Growth of Complex Epitaxial Multi-Component Oxide Thin Films and Heterostructures with Strong Anisotropy", Proc. Mater. Res. Soc., 1368: mrss11-1368-ww11-10 (2011). K. Endo, “Status in the Growth of Anisotropic Oxide Thin Films and Heterostructures for Future Electronics”, 19th Int. Conf. Composites/Nano-Engineering (ICCE-19), Oxide Nanocomposites & Heterostructures Symposium, Shanghai, China, 2011. 7. 25. （基調講演） P. Badica、K. Endo, 他2名 “Beautiful’ Unconventional Synthesis and Processing Technologies of Superconductors and Some Other Materials”, Sci. Technol. Adv. Mater., 12 , 013001, 1-13 (2011). K. Endo, 3名, “MOMBE Growth of YBa2Cu3O7 Thin Films with c-Axis, a-Axis and (103/110) Orientations on SrTiO3 Substrate”, IEEE Trans. Appl. Supercond. 21, 2771-2774 (2011). K. Endo, "Oxide Thin Films with Layered Structure Grown by MOCVD", IUMRS-Intl. Conf. Electron. Mater. (IUMRS-ICEM 2012), Yokohama, Japan, Sep. 23-28, 2012.（招待講演） K. Endo, "Growth of High Temperature Cuprate Superconductors Based Heterostructures", 20th Intl. Conf. Composites or Nano-Engineering (ICC-20), Beijing, China, July 22-28, 2012. （招待講演） K. Endo (1番目), 他4名, "Growth Control of High-Tc Superconducting Thin Films for Future Electronics", Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 20th Anniversary Special Issue, 85-88 (2012). K. Endo (1番目), 他4名, "Growth Aspect of Thin-Film Composite Heterostructures of Oxide Multicomponent Perovskites for Electronics", Jpn. J. Appl. Phys. 51, 11PG09-1－11PG09-6 (2012). K. Endo, "Orientation Control in Bi-2201 Films obtained by Spin-Coating", 21st Intl. Conf. Composites / Nano-Engineering (ICCE 2013), Tenerife, Spain, July 21-27, 2013（招待講演） K. Endo, "Growth of c-axis and non c-axis Oriented Bismuth-based Cuprate Thin Films by Spin Coating", 23rd Annual Meeting of MRS-Japan 2013, Yokohama, Japan, Dec. 9-11, 2013（招待講演） H. Yamasaki, K. Endo, "Nanostructural Defects for Effective Flux Pinning in High-quality Bi2Sr2CaCu2O8+x Epitaxial Thin Films with High Critical Current Density", Supercond. Sci. Technol., 27. 025014-025023 (2014). K. Endo (1番目), 他6名, "Growth of (001) or (115) Bi-2201 Thin Films by Spin Coating and MOCVD Targeting Future Electronics Applications", J. Phys.: Conf. Ser., 507, 012010 -012014 (2014). F. Iacopi, K. Endo, 他3名, “Power electronics with wide bandgap materials: Toward greener, more efficient technologies”, MRS Bulletin, 40, 390-396 (2015).　（パワー半導体特集のゲストエディター） K. Endo (1番目), 他5名, “Characterization by X-ray Diffraction of Non-c-Axis Epitaxial Bi2Sr2CaCu2O8+x Thin Films”, IEEE Trans. On Appl. Supercond., 26 (3), 7500104 (2016). Y. Tateno, K. Endo, 他8名, “Growth of SrTiO3 Single Crystals with a Diameter of about 30 mm by the Verneuil Method”, Cryst. Growth & Des. 19, 604-612 (2019). K. Endo (1番目), 他2名, “Epitaxial Non c-axis Twin-free Bi2Sr2CaCu2O8+x Thin Films for Future THz Devices” Materials, 12 (7), 1124-1135 (2019). K. Komori, K. Endo, 他4名, “Preparation of a high-Tc Superconducting magnetic flux transformer with a 100mm bore coil and static magnetic field transfer at 77 K”, Jpn. J. Appl. Phys., 60, 073002 (2021). 　他、多数の論文、基調・招待講演 主な特許 米国　登録番号:7981840 (H23/07/19), 発明名称: Bi系酸化物超電導薄膜の作製法、発明者:遠藤和弘 国内　登録番号:第6638949号(R2/1/7), 発明名称: Bi系酸化物超伝導薄膜の製造方法とBi系酸化物超伝導薄膜構造体,特許権者; 金沢工業大学, 物質・材料研究機構、発明者: 遠藤和弘, 有沢俊一 国内　登録番号:6683993号 (R4/2/7), 発明名称: 接合物の製造方法, 特許権者: 遠藤和弘, 発明者:遠藤和弘 TOP＞研究員紹介＞遠藤 和弘 研究員紹介 研究業績(概要) 研究業績(抜粋) 主な特許 このページのトップへ 金沢工業大学　高信頼理工学研究センター 〒924-0838 石川県白山市八束穂3-1 COPYRIGHT © KANAZAWA INSTITUTE OF TECHNOLOGY. ALL RIGHTS RESERVED. TOP 研究所説明 研究員紹介 活動報告